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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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