Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    56 left arrow 60
    Wokół strony 7% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    5 left arrow 4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,381.6 left arrow 1,760.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    56 left arrow 60
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,086.5 left arrow 5,082.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,760.2 left arrow 2,381.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    538 left arrow 925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania