RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    56 left arrow 60
    周辺 7% 低遅延
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,381.6 left arrow 1,760.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 60
  • 読み出し速度、GB/s
    4,086.5 left arrow 5,082.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,760.2 left arrow 2,381.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    538 left arrow 925

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
メモリRAM