Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

总分
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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

总分
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    56 left arrow 60
    左右 7% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    5 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,381.6 left arrow 1,760.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    56 left arrow 60
  • 读取速度,GB/s
    4,086.5 left arrow 5,082.2
  • 写入速度,GB/s
    1,760.2 left arrow 2,381.6
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    538 left arrow 925
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