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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
60
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
1,760.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
56
60
读取速度,GB/s
4,086.5
5,082.2
写入速度,GB/s
1,760.2
2,381.6
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
538
925
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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