Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB против SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    56 left arrow 60
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,381.6 left arrow 1,760.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    56 left arrow 60
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,086.5 left arrow 5,082.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,760.2 left arrow 2,381.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    538 left arrow 925
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения