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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
60
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
1,760.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
56
60
Velocidade de leitura, GB/s
4,086.5
5,082.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,760.2
2,381.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
538
925
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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