Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    56 left arrow 60
    Por volta de 7% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    5 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,381.6 left arrow 1,760.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    56 left arrow 60
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,086.5 left arrow 5,082.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,760.2 left arrow 2,381.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    538 left arrow 925
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RAM 1
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