RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
41
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
39
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
2600
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link