RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
39
Velocità di lettura, GB/s
10.1
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
2600
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0PS 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link