RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
45
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3201
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link