RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
45
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3201
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link