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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
60
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
1,760.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
56
60
Velocidad de lectura, GB/s
4,086.5
5,082.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,760.2
2,381.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
538
925
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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