RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3046
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link