RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
48
Rund um -153% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2991
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link