RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
48
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
19
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2991
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link