RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3062
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link