RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
48
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3111
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link