RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
48
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3111
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link