RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2971
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link