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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
16.2
写入速度,GB/s
10.1
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2971
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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