RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
48
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2742
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link