RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
48
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
30
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2742
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link