RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
48
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2951
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link