RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2951
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link