RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
48
Rund um -153% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
16.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3444
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link