RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
40
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2637
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link