RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2637
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link