RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
50
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.9
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
3020
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link