RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
50
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3020
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link