Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Puntuación global
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
    En 1.2% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 50
    En -47% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.2 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.1 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 34
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 16.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 13.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2512 left arrow 3020
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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