RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
48
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3119
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link