RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
48
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
21.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
19.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
4044
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link