RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
48
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
21.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
19.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
4044
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link