RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
48
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2168
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link