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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
58
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2025
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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