RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    48 left arrow 58
    周辺 17% 低遅延
NSITEXE Inc Visenta 16GB 考慮すべき理由
NSITEXE Inc Visenta 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 2025

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
メモリRAM