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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
48
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2564
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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