RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
48
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2564
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link