RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
52
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
8.9
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2126
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link