RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
48
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2541
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link