RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
48
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
24
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2541
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link