RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
48
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2619
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link