RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
48
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2619
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link