RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
47
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2656
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link