RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
47
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2656
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link