RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1344
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link