RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1344
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link