RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
17.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3931
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link