RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3756
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link