RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
58
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2927
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link