RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
47
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2466
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link