RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
54
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3256
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link